研究内容は（仮）鉄道関連の研究 具体的な内容は未定 なお、学部4年での研究テーマは「酸化グラフェン薄膜の形成制御」でした。 下の図はSEM（電子顕微鏡像）とAFM（原子間力顕微鏡像）の結果です。 ▲SEM像（基板全体に酸化グラフェンが吸着している） 結果として、基板上をAPTESで修飾することで多くの酸化グラフェンが吸着することが確認された なお、修飾していない基板ではほとんど酸化グラフェンの吸着が起こらなかった。 ▲AFM像（色の薄いところが酸化グラフェン、濃いところが基板表面） 酸化グラフェンの1層あたりの理論値は0.7nmとなっている。しかしながら、実験で用いたシリコン 基板の表面にはラフネスが存在しているため、シリコン基板上で測定を行うと高さは約0.7〜1.0nm となる。 AFM像の結果からシリコン基板上には1層の酸化グラフェンが多数吸着していることが確認できる。

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